一种基于PMOS管辅助触发的双向可控硅器件

摘要

本发明公开了一种基于PMOS管辅助触发的双向可控硅器件，包括P衬底层和四个PMOS管；P衬底层上设有第一N阱、P阱和第二N阱；第一N阱上设有第一N+有源注入区、第一P+有源注入区和第二N+有源注入区；第二N阱上设有第三N+有源注入区、第二P+有源注入区和第四N+有源注入区；第三N+有源注入区与第二PMOS管相连，第一PMOS管与第一金属电极相连；第二N+有源注入区与第三PMOS管相连，第四PMOS管与第二金属电极相连。本发明可控硅器件利用PMOS管作为辅助触发单元，使得器件具有可调且较低的正反向击穿电压，使得器件可适用于一些混合电压接口电路或者不同电源域间的ESD防护应用。

主权项

一种基于PMOS管辅助触发的双向可控硅器件，其特征在于，包括：P衬底层（10）和四个PMOS管；所述的P衬底层（10）上从左到右依次设有第一N阱（21）、P阱（23）和第二N阱（22），所述的P阱（23）与第一N阱（21）和第二N阱（22）并排相连；所述的第一N阱（21）上从左到右依次并排设有第一N+有源注入区（41）、第一P+有源注入区（51）和第二N+有源注入区（42）；所述的第二N阱（22）上从左到右依次并排设有第三N+有源注入区（43）、第二P+有源注入区（52）和第四N+有源注入区（44）；所述的第一N+有源注入区（41）与第一P+有源注入区（51）、第一P+有源注入区（51）与第二N+有源注入区（42）、第二N+有源注入区（42）与第三N+有源注入区（43）、第三N+有源注入区（43）与第二P+有源注入区（52）或第二P+有源注入区（52）与第四N+有源注入区（44）通过浅槽（3）隔离；所述的第一N+有源注入区（41）和第一P+有源注入区（51）通过第一金属电极（61）相连，所述的第二P+有源注入区（52）和第四N+有源注入区（44）通过第二金属电极（62）相连；所述的第三N+有源注入区（43）与第二PMOS管的源极、栅极和阱电极相连，第一PMOS管的漏极、栅极和阱电极与第一金属电极（61）相连；所述的第二N+有源注入区（42）与第三PMOS管的源极、栅极和阱电极相连，第四PMOS管的漏极、栅极和阱电极与第二金属电极（62）相连；第一PMOS管的源极与第二PMOS管的漏极相连，第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连。