| 发明名称 | 具有半导体器件的基台的半导体单元 | ||
| 摘要 | 半导体单元包括基台以及与基台耦合的芯片。所述基台配置有底座和以及底座和芯片之间的多个层。将这些层之一，放热导电银(“Ag”)层沉积到底座的顶部上。选择银层的厚度，使得基台的累积热膨胀系数与芯片的热膨胀系数相匹配。耦合至芯片的有源区的是由弹性可延展材料制造的应力释放层。 | ||
| 申请公布号 | CN103620764A | 申请公布日期 | 2014.03.05 |
| 申请号 | CN201180071547.5 | 申请日期 | 2011.06.17 |
| 申请人 | IPG光子公司 | 发明人 | 亚历山大·奥夫契尼可夫;阿列克谢·科米萨诺夫;伊格尔·贝尔谢夫;斯卫特兰德·图德洛夫 |
| 分类号 | H01L23/34(2006.01)I;H01L23/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 赵伟 |
| 主权项 | 一种半导体单元，包括：底座，与底座间隔开的芯片，沉积于底座项部上并与芯片耦合的散热导电银层，其中所述底座和所述银层确定了基台。 | ||
| 地址 | 美国马萨诸塞州 | ||