发明名称 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法
摘要 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法,制备方法依次包括:a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极;b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积非晶金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极;e.对背沟道进行稳定化处理;f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明设置了背沟道稳定化处理步骤,能够降低源、漏电极刻蚀后在背沟道处的刻蚀残留和损伤,所制备的薄膜晶体管的稳定性高,且工艺简单、成本低廉。
申请公布号 CN103311130B 申请公布日期 2014.03.05
申请号 CN201310174836.9 申请日期 2013.05.14
申请人 广州新视界光电科技有限公司 发明人 徐苗;罗东向;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪
分类号 H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I 主分类号 H01L21/34(2006.01)I
代理机构 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人 汤东凤
主权项 一种非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极;b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积非晶金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极;e. 采用湿法处理或者采用干法处理对背沟道进行稳定化处理;f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。
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