发明名称 |
一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
摘要 |
一种非晶金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法,制备方法依次包括:a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极;b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积非晶金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极;e.对背沟道进行稳定化处理;f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。本发明设置了背沟道稳定化处理步骤,能够降低源、漏电极刻蚀后在背沟道处的刻蚀残留和损伤,所制备的薄膜晶体管的稳定性高,且工艺简单、成本低廉。 |
申请公布号 |
CN103311130B |
申请公布日期 |
2014.03.05 |
申请号 |
CN201310174836.9 |
申请日期 |
2013.05.14 |
申请人 |
广州新视界光电科技有限公司 |
发明人 |
徐苗;罗东向;邹建华;陶洪;王磊;彭俊彪 |
分类号 |
H01L21/34(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/34(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种非晶金属氧化物薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,依次包括如下步骤:a.在衬底上制备并图形化金属导电层作为栅极;b.在所述金属导电层上沉积第一绝缘薄膜作为栅极绝缘层;c.在所述栅极绝缘层上沉积非晶金属氧化物薄膜并图形化作为有源层;d.在所述有源层上沉积金属层然后图形化作为源、漏电极;e. 采用湿法处理或者采用干法处理对背沟道进行稳定化处理;f.在所述源、漏电极上沉积第二绝缘薄膜作为钝化层。 |
地址 |
510730 广东省广州市萝岗区开源大道11号科技企业加速器A1栋 |