发明名称 用以使用原子层沉积技术沉积钨层之方法
摘要
申请公布号 TWI428469 申请公布日期 2014.03.01
申请号 TW095101760 申请日期 2006.01.17
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 赖耿光;拉贾勾帕兰拉菲;坎多尔沃夫亚弥特;摩西马德夫;干德可塔史林尼维斯;卡思若乔瑟夫;杰拉多斯巴艾夫杰尼诺斯V;坎博费勒查利;菅平;方宏斌;洪昭明;奚明;杨晓晅(麦克X);仲华;兵杰松
分类号 C23C26/00 主分类号 C23C26/00
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 美国