发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI429086 申请公布日期 2014.03.01
申请号 TW098136152 申请日期 2006.11.14
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 秋元健吾
分类号 H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1368;H01L27/32 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本