| 摘要 |
<p>Ce procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant un premier composant (12) hybridé à un second composant (14) au moyen d'interconnexions électriques, consiste : * à réaliser des premier et second composants (12, 14), le second composant (14) étant transparent à un rayonnement ultraviolet au moins au droit d'emplacements prévus pour les interconnexions ; * à former des éléments d'interconnexion (22) comprenant de l'oxyde de cuivre sur le second composant (14) aux emplacements prévus pour les interconnexions; * à reporter les premier et second composants (12, 14) l'un sur l'autre ; et * à appliquer un rayonnement ultraviolet au travers le second composant (14) sur les éléments comprenant de l'oxyde de cuivre de manière à mettre en oeuvre un recuit ultraviolet transformant l'oxyde de cuivre en cuivre.</p> |
