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<p>Procédé de transfert d'un film d'InP sur un substrat raidisseur, le procédé comprenant les étapes consistant à : a) Fournir une structure comprenant une couche superficielle d'InP (5) et une couche mince d'InP (4) dopée sous jacente, b) Implanter des ions hydrogène au travers de la couche superficielle (5) de sorte à créer un plan fragilisé (7) dans la couche mince (4) dopée, délimitant un film comprenant la couche superficielle (5), c) Mettre en contact intime la couche superficielle (5) avec un substrat raidisseur, et d) Appliquer un traitement thermique de sorte à obtenir une fracture au niveau du plan fragilisé (7) et un transfert du film sur le substrat raidisseur.</p> |
