| 摘要 |
1. Элемент фотоэлектрического преобразования, содержащий:слой фотоэлектрического преобразования; ифотонный кристалл, предусмотренный внутри слоя фотоэлектрического преобразования таким образом, чтобы иметь фотонную запрещенную зону, причем фотонный кристалл сконструирован так, чтобы столбчатые среды, чей показатель преломления меньше, чем показатель преломления среды слоя фотоэлектрического преобразования, были периодически предусмотрены внутри среды слоя фотоэлектрического преобразования, и были предусмотрены дефекты, где не предусмотрены столбчатые среды, для того чтобы обеспечивать уровень дефекта в фотонной запрещенной зоне,когда длиной волны резонансного пика, соответствующего уровню дефекта является λ, столбчатые среды предусмотрены двумерным образом с шагом не менее чем λ/7 и не более чем λ/2, по отношению к длине волны λ, иудовлетворено отношение 0,2 Q≤Q≤5,4 Q,при этом, Qявляется значением Q, представляющим величину эффекта резонанса, произведенного связью между фотонным кристаллом и внешним пространством, и пропорционально обратному числу коэффициента κ, указывающего силу связи между фотонным кристаллом и внешним пространством, а Qявляется значением Q, представляющим величину эффекта резонанса, произведенного средой слоя фотоэлектрического преобразования и пропорционально обратному числу коэффициента поглощения света средой слоя фотоэлектрического преобразования.2. Элемент фотоэлектрического преобразования по п.1, в котором фотонный кристалл сконструирован так, чтобы каждая из столбчатых сред имела высоту, равную толщине слоя фотоэлектрического преобразования.3. Элемент фотоэлектрич� |
