| 摘要 |
1. Способ формирования полупроводниковой наноразмерной структуры, включающий воздействие потоком ускоренных частиц на обрабатываемые участки поверхности полупроводниковой пластины, который создает наноразмерные области разупорядочения, формирующие спектр электронных состояний в запрещенной зоне, являющиеся электрически активными элементами полупроводниковой структуры.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что геометрия расположения активных слоев, содержащих наноразмерные области разупорядочения, создается облучением потоком ускоренных частиц через маску.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что геометрия расположения активных слоев, содержащих наноразмерные области разупорядочения, создается путем сканирования по поверхности заготовки модулированным по интенсивности пучком ускоренных частиц. |
