| 摘要 |
Способ получения оптических поликристаллических материалов на основе селенида цинка, включающий подготовку шихты на основе селенида цинка, помещение ее в реактор, вакуумирование до давления 10-10мм.рт.ст., нагрев зоны испарения реактора до температуры испарения, пропускания паров ZnSe через фильтр с последующим их осаждением на подложку, имеющую температуру ниже температуры испарения и последующие охлаждение реактора с заготовкой до комнатной температуры, отличающийся тем, что, в качестве шихты используют смесь селенида цинка с элементарным селеном при следующих соотношениях компонентов, мас.%:а зону испарения реактора нагревают до температуры испарения 1000-1200°С, при этом охлаждение ведут со скоростью 25-30°С/ч. |
