一种通孔优先铜互连制作方法

摘要

一种通孔优先铜互连制作方法，包括：提供硅基衬底，并依次沉积低k值介质层、硬掩模薄膜，且在硬掩模薄膜上依次涂布第一旋涂碳薄膜和第一光刻胶；曝光和显影在第一光刻胶中，并形成第一通孔；在硬掩模薄膜中形成第二通孔；在硬掩模薄膜上依次涂布第二旋涂碳薄膜和第二光刻胶；曝光和显影在第二光刻胶中，并形成第一金属槽；在低k值介质层中形成通孔和金属槽；实现导线金属和通孔金属填充。本发明通过使用第一旋涂碳薄膜和第二旋涂碳薄膜，并结合可形成硬膜之第一光刻胶和第二光刻胶，不仅减少了工艺材料和工艺步骤，提高了光刻工艺能力，并可以满足刻蚀后图形结构均匀度的要求，而且有效的提高产能和减少制作成本。

主权项

一种通孔优先铜互连制作方法，其特征在于，所述通孔优先铜互连制作方法包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上依次沉积所述低k值介质层、硬掩模薄膜，且在所述硬掩模薄膜上依次涂布第一旋涂碳薄膜和可形成硬膜之第一光刻胶；执行步骤S2：曝光和显影在所述第一光刻胶中，并形成所述第一通孔；执行步骤S3：依次以所述第一光刻胶和所述第一旋涂碳薄膜为刻蚀掩模，在所述硬掩模薄膜中形成所述第二通孔，并去除多余的所述第一旋涂碳薄膜；执行步骤S4：在所述硬掩模薄膜上依次涂布所述第二旋涂碳薄膜和可形成硬膜之第二光刻胶；执行步骤S5：曝光和显影在所述第二光刻胶中，并形成所述第一金属槽；执行步骤S6：依次以所述第二光刻胶、第二旋涂碳薄膜和所述硬掩模薄膜为刻蚀掩模，并在所述低k值介质层中形成所述通孔和所述金属槽；执行步骤S7：进行所述金属沉积和所述化学机械研磨工艺，实现所述导线金属和所述通孔金属填充。