一种集成二极管的集电极短路IGBT结构

摘要

本发明公开了一种集成二极管的集电极短路IGBT结构，包括元胞区(110)和环绕于所述元胞区(110)的终端区(111)，属于功率半导体器件技术领域。其中元胞区(110)包括绝缘层(10)、多晶硅栅极(30)、发射极金属(50)、P-body区(20)、发射极N+区(40)、N-漂移区(80)、集电极P+区(90)和集电极区(100)；终端区(111)包括主结(21)、场限环(61)、沟道截止环(71)、N-漂移区(81)、N+集电极短路区(91)、发射极金属(51)、集电极金属(101)和绝缘层(11)。主结(21)、N-漂移区(81)以及集电极N+区(91)形成了反并联PiN二极管，不仅减小了器件的整体面积和封装成本，而且提高了器件的开关速度并克服了传统集电极短路的逆阻效应。

主权项

一种集成二极管的集电极短路IGBT结构，包括元胞区(110)和环绕于所述元胞区(110)的终端区(111)，属于功率半导体器件技术领域。其中元胞区(110)包括绝缘层(10)、多晶硅栅极(30)、发射极金属(50)、P‑body区(20)、发射极N+区(40)、N‑漂移区(80)、集电极P+区(90)和集电极区(100)；终端区(111)包括主结(21)、场限环(61)、沟道截止环(71)、N‑漂移区(81)、N+集电极短路区(91)、发射极金属(51)、集电极金属(101)和绝缘层(11)，其特征在于，终端部分的集电极区域全部是N+区(91)，其中主结(21)、N‑漂移区(81)以及集电极N+区(91)形成了反并联PiN二极管。