| 发明名称 | 半导体装置用的切割加工用粘结带 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置切割用粘结带100是通过在基材膜10上形成放射线固化型粘结剂层20而得到的，其中，上述基材膜10由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于上述粘结剂层侧的基材树脂膜层2的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与上述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层1的熔点为140℃～150℃。 | ||
| 申请公布号 | CN103608901A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201280029289.9 | 申请日期 | 2012.10.17 |
| 申请人 | 古河电气工业株式会社 | 发明人 | 大田乡史;冈本和幸 |
| 分类号 | H01L21/301(2006.01)I;C09J7/02(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/301(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 丁香兰;庞东成 |
| 主权项 | 一种半导体装置用的切割加工用粘结带，其是在基材膜上形成放射线固化型粘结剂层而成的半导体装置切割用粘结带，其特征在于，所述基材膜由2层以上的基材树脂膜层构成，邻接于该粘结剂层侧的基材树脂膜层的熔点为100℃～120℃，与该粘结剂层侧的基材树脂膜层在与所述粘结剂层相反侧邻接的基材树脂膜层的熔点为140℃～150℃。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||