发明名称 一种解决渗镀漏镀的化学镍工艺
摘要 本发明涉及一种解决渗镀漏镀的化学镍工艺,包括活化和化镍两个步骤;活化步骤使用的活化药水由8~12%的活化开缸剂HAR-7900M和88~92%的去离子水制成;化镍步骤使用的化学镍药水由15%的化镍主剂HAR-7955M、5%的化学镍主剂HAR-7955A、0.5%的化学镍主剂HAR-7955D和79.5%的去离子水制成,且可根据已生产线路板数量,补充加入活化添加剂HAR-7900R到活化药水中,按照5∶5∶5∶1的比例补充加入化学镍主剂HAR-7955A、HAR-7955B、HAR-7955C和HAR-7955D到化学镍药水中。解决了化镍生产高难度PCB板的渗镀漏镀问题,优良率高,成本低。
申请公布号 CN103602965A 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201310575788.4 申请日期 2013.11.18
申请人 广东哈福科技有限公司 发明人 陈勇
分类号 C23C18/36(2006.01)I;C23C18/30(2006.01)I 主分类号 C23C18/36(2006.01)I
代理机构 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 代理人 邹常友
主权项 一种解决渗镀漏镀的化学镍工艺,包括有活化和化镍两个步骤;其特征在于,所述活化步骤中所使用的活化药水由8~12%的活化开缸剂HAR‑7900M和88~92%的去离子水配制而成;所述化镍步骤中所使用的化学镍药水由15%的化镍主剂HAR‑7955M、5%的化学镍主剂HAR‑7955A、0.5%的化学镍主剂HAR‑7955D和79.5%的去离子水配制而成。
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