单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种单晶硅片的抛光方法、太阳能电池片及其制作方法。该抛光方法为将制绒后的单晶硅片的用于制作背场的背面置于抛光液中、正面置于抛光液外进行化学抛光。通过对背面绒面结构抛光增加了硅片电池背场的平整度，增加了太阳光谱中长波段光在单晶硅背面的反射；减小了硅片背面的绒面面积和硅片背面的表面缺陷态密度以及背面光生载流子的复合速率，使经过硅片的光更多地反射回硅片内部，增加了激发电子-空穴对的几率，提高了太阳能电池的开路电压、短路电流和光电转换效率，降低了制作成本。通过调整优化抛光工艺提高了长波段太阳光的反射率，使长波长的光进一步反射回硅片内部增加了被吸收的可能性，提高了太阳能电池的转换效率。

主权项

一种单晶硅片的抛光方法，其特征在于，将制绒后的所述单晶硅片的用于制作背场的背面置于抛光液中、正面置于所述抛光液外进行化学抛光。