发明名称 像素结构
摘要 本发明提供一种像素结构,包括:一基板(12)、下层公共电极(14)、栅极线(26)、第一钝化层(16)、数据线(28)、像素电极(18)、第二钝化层(22)及上层公共电极(24),所述第一钝化层(16)设有第一通孔,所述第二钝化层(22)设有第二通孔,所述下层公共电极(14)通过该第一、第二通孔与所述上层公共电极(24)连接,所述下层公共电极(14)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第一电容,所述上层公共电极(24)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第二电容,所述第一、第二电容构成该像素结构的存储电容。
申请公布号 CN103605244A 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201310603199.2 申请日期 2013.11.25
申请人 深圳市华星光电技术有限公司 发明人 郝思坤
分类号 G02F1/1362(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人 林才桂
主权项 一种像素结构,包括:一基板(12),形成于基板(12)上的下层公共电极(14)、栅极线(26),形成于所述下层公共电极(14)与基板(12)上的第一钝化层(16),形成于第一钝化层(16)上的数据线(28)、像素电极(18),形成于像素电极(18)、数据线(28)及第一钝化层(16)上的第二钝化层(22),以及形成于所述第二钝化层(22)上的上层公共电极(24);其特征在于:所述第一钝化层(16)设有第一通孔,所述第二钝化层(22)设有第二通孔,所述下层公共电极(14)通过所述第一、第二通孔与所述上层公共电极(24)连接,所述下层公共电极(14)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第一电容,所述上层公共电极(24)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第二电容,所述第一、第二电容构成该像素结构的存储电容。
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