发明名称 |
像素结构 |
摘要 |
本发明提供一种像素结构,包括:一基板(12)、下层公共电极(14)、栅极线(26)、第一钝化层(16)、数据线(28)、像素电极(18)、第二钝化层(22)及上层公共电极(24),所述第一钝化层(16)设有第一通孔,所述第二钝化层(22)设有第二通孔,所述下层公共电极(14)通过该第一、第二通孔与所述上层公共电极(24)连接,所述下层公共电极(14)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第一电容,所述上层公共电极(24)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第二电容,所述第一、第二电容构成该像素结构的存储电容。 |
申请公布号 |
CN103605244A |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201310603199.2 |
申请日期 |
2013.11.25 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
郝思坤 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种像素结构,包括:一基板(12),形成于基板(12)上的下层公共电极(14)、栅极线(26),形成于所述下层公共电极(14)与基板(12)上的第一钝化层(16),形成于第一钝化层(16)上的数据线(28)、像素电极(18),形成于像素电极(18)、数据线(28)及第一钝化层(16)上的第二钝化层(22),以及形成于所述第二钝化层(22)上的上层公共电极(24);其特征在于:所述第一钝化层(16)设有第一通孔,所述第二钝化层(22)设有第二通孔,所述下层公共电极(14)通过所述第一、第二通孔与所述上层公共电极(24)连接,所述下层公共电极(14)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第一电容,所述上层公共电极(24)与所述像素电极(18)部分重叠以形成第二电容,所述第一、第二电容构成该像素结构的存储电容。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |