发明名称 |
一种MOSFET结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供了一种MOSFET制造方法,包括:a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160);b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位;c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入,形成载流子散射区(400),所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的半导体结构表面下方;d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。根据本发明提供的一种减小热载流子跃迁几率的方法,在靠近漏端一侧的沟道材料中注入散射杂质,即非电离杂质,增大热载流子在夹断区被散射的概率,使得载流子在夹断区运动时受到的阻力增大,降低热载流子的能量,从而减小热载流子进入栅极介质层的数目和几率。 |
申请公布号 |
CN103606524A |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201310479825.1 |
申请日期 |
2013.10.15 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
尹海洲;刘云飞 |
分类号 |
H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/336(2006.01)I |
代理机构 |
北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 |
代理人 |
朱海波 |
主权项 |
一种MOSFET制造方法,包括:a.提供衬底(100)、源漏区(200)、伪栅叠层(150)、层间介质层(300)和侧墙(160);b.去除伪栅叠层(150)形成伪栅空位;c.对所述半导体结构进行倾斜的离子注入,形成载流子散射区(400),所述载流子散射区(400)位于漏端一侧的衬底表面下方;d.在所述伪栅空位中淀积栅极叠层(500)。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |