BICMOS集成电路中双极器件的制造方法

摘要

本发明公开了BICMOS集成电路中双极器件的制造方法，包括：在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区；在基区上形成场氧化层及多晶硅栅极；在环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内进行发射区及集电区的制造，在发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。从而，本发明解决了现有BICMOS集成电路产品抗辐照及加固特性低的问题。实现了对寄生双极管放大倍数的调节；同时，通过对栅氧的特殊工艺处理，增强寄生双极器件的抗辐照特性。

主权项

BICMOS集成电路中双极器件的制造方法，包括：在N衬底上形成包括P型阱及N型阱的基区；在所述基区上进行场区氧化，形成场氧化层；在所述P型阱的场氧层上制造环形多晶硅栅极；在所述环形多晶硅栅极的中间区域及外围区域内同时进行N+注入区光刻，在该N+注入区内注入磷，在所述中间区域形成发射区，在所述外围形成集电区；在所述P型外延的场氧层上方的边缘区域中，进行P+注入区光刻，在该P+注入区内注入硼，形成基极区；在所述发射区、集电区及基极区的上层制造金属外引线层。