| 发明名称 | 用于半导体制造的新型光刻胶去除液 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种新型光刻胶去除液，其包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。本发明提供的新型光刻胶去除液感光膜清洗能力强且对半导体晶片图案和基材腐蚀性较低。 | ||
| 申请公布号 | CN103605269A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201310513408.4 | 申请日期 | 2013.10.25 |
| 申请人 | 青岛华仁技术孵化器有限公司 | 发明人 | 孙霞 |
| 分类号 | G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人 | 汤东凤 |
| 主权项 | 一种新型的感光膜清洗液，其特征在于：包括季戊四醇、氢氧化钾、有机胺、防腐蚀剂和溶剂。 | ||
| 地址 | 266071 山东省青岛市市南区香港中路32号五矿大厦801-A室 | ||