| 发明名称 | 基于恒温控制的高耐振晶体振荡器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种基于恒温控制的高耐振晶体振荡器，属于电子领域。本实用新型包括金属屏蔽外壳、固定在金属屏蔽外壳内的隔振器以及设置在隔振器上的振荡系统，其中该振荡系统与金属屏蔽外壳电连接。通过以上设置，本实用新型克服了现有的晶体振荡器无法满足在体积较小的情况下耐振性能同时达到要求的缺陷，本实用新型不仅体积小、结构简单，同时其耐振性强，适合推广使用。 | ||
| 申请公布号 | CN203457119U | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201320450473.2 | 申请日期 | 2013.07.26 |
| 申请人 | 成都天奥电子股份有限公司 | 发明人 | 刘建东;蒋松涛;黎小平;曾嫦 |
| 分类号 | H03H9/10(2006.01)I;H03H9/19(2006.01)I;H03L1/00(2006.01)I | 主分类号 | H03H9/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人 | 杨军 |
| 主权项 | 基于恒温控制的高耐振晶体振荡器，其特征在于，包括金属屏蔽外壳、固定在金属屏蔽外壳内的隔振器以及设置在隔振器上的振荡系统，其中该振荡系统与金属屏蔽外壳电连接。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市金牛区高科技产业开发区土桥村九组 | ||