具有受屏蔽硅衬底的发光装置

摘要

一种发光装置包括发光部件，例如具有由硅衬底支撑的活性材料层的GaN LED，其中该衬底可以为生长衬底或附着的衬底。磷光体可以相对于该发光部件设置以吸收主要发射光并产生次要发射光，其中可以相对调整或选择该次要发射光使两者的组合能产生所期望光谱的光，例如呈现白色的光。该硅衬底具有暴露的侧壁，其可以相对于衬底的平坦表面具有一角度，而具有漫射性质的材料等反光材料涂布于所述侧壁。该反射材料对于该主要与次要发射光不透光。若该硅衬底的其他暴露部分存在且曝露在主要或次要发射光之下，则可用该反光材料涂布这些其他暴露部分。

主权项

一种发光装置，包括：包括硅衬底的发光部件，所述硅衬底包括顶表面、底表面以及侧壁；反光层，所述反光层形成于所述硅衬底的所述侧壁的至少一部分上；磷光体，所述磷光体形成于所述发光部件的至少一部分上，其中所述磷光体能够：吸收由所述发光部件发射的光的一部分，发射波长不同于所吸收的光的波长的光，反射由所述发光部件所发射的光的一部分；并且其中所述反光层防止由其所覆盖的所述衬底的所述侧壁的所述一部分吸收以下所述的一项或两项：所述发光部件所发射且通过所述磷光体所反射的光的一部分，以及由所述磷光体所发射的光的一部分。