横向扩散金-氧-半场效应器件的低压倒置阱注入方法

摘要

本发明公开了一种横向扩散金-氧-半场效应器件的低压倒置阱注入方法，包括如下步骤：(1)在硅片表面依次沉积垫层膜和硬质膜；(2)在硬质膜表面涂光刻胶、曝光，低压倒置阱注入区域的图形转移到光刻胶层上；(3)采用干法刻蚀刻开硬质膜，停在垫层膜上；(4)剥去光刻胶，将低压倒置阱注入区域图形转移到硬质膜层上；(5)以硬质膜为阻挡层，进行低压倒置阱的多步离子注入；(6)用湿法剥去硬质膜和垫层膜，完成整个低压倒置阱的离子注入过程。本发明以硬质膜作为低压倒置阱注入的阻挡层，以消除高低能离子注入的宽度差异，避免LDMOS器件特性参数的漂移。

主权项

一种横向扩散金‑氧‑半场效应器件的低压倒置阱注入方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）在硅片表面依次沉积垫层膜和硬质膜；步骤（1）中，所述硬质膜是采用化学气相沉积方法形成的氧化硅或氮化硅，其厚度视步骤（5）中离子注入的种类和能量以及硬质膜的种类而定，将这三个量作为计算机器件模拟软件的自变量，通过模拟计算得出离子在硬质膜中能够穿透的射程，选择大于此数值的硬质膜厚度即可；（2）在硬质膜表面涂光刻胶、曝光，低压倒置阱注入区域的图形转移到光刻胶层上；（3）采用干法刻蚀刻开硬质膜，停在垫层膜上；（4）剥去光刻胶，将低压倒置阱注入区域图形转移到硬质膜层上；（5）以硬质膜为阻挡层，进行低压倒置阱的多步离子注入；（6）用湿法剥去硬质膜和垫层膜，完成整个低压倒置阱的离子注入过程。