一种可提高PN结反向击穿电压的装置

摘要

本发明公开了一种可提高PN结反向击穿电压的装置包括第一高阻半导体层、低阻半导体层、第二低阻半导体层和第一绝缘抗反射涂层及第二绝缘抗反射涂层；第二低阻半导体层位于第一绝缘抗反射涂层的内侧面，低阻半导体层位于第二低阻半导体层的另一侧面正下方；第二低阻半导体层与低阻半导体层形成主PN结，第二低阻半导体层与第一高阻半导体层形成辅PN结；第一高阻半导体层的掺杂浓度小于低阻半导体层的掺杂浓度；第二低阻半导体层与低阻半导体层的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层与第二低阻半导体层的接触面积；第二低阻半导体层的深度小于低阻半导体层的深度。本发明能使主PN结的击穿电压达到理想的平面击穿，从而提高PN结反向击穿电压。

主权项

一种可提高PN结反向击穿电压的装置，其特征在于，包括第一高阻半导体层（1）、与第一高阻半导体层（1）导电类型相同的低阻半导体层（2）、与低阻半导体层（2）导电类型相反的第二低阻半导体层（3）和设置在第一高阻半导体层（1）两侧面的第一绝缘抗反射涂层（4）及第二绝缘抗反射涂层（5）；所述第二低阻半导体层（3）位于第一绝缘抗反射涂层（4）的内侧面，所述低阻半导体层（2）位于第二低阻半导体层（3）的另一侧面正下方；所述第二低阻半导体层（3）与低阻半导体层（2）形成主PN结，所述第二低阻半导体层（3）与第一高阻半导体层（1）形成辅PN结，所述主PN结与辅PN结相互并联；所述低阻半导体层（2）的掺杂浓度小于第二低阻半导体层（3）的掺杂浓度，所述第一高阻半导体层（1）的掺杂浓度小于低阻半导体层（2）的掺杂浓度；所述第一绝缘抗反射涂层（4）与第二低阻半导体层（3）的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层（4）的面积，所述第二低阻半导体层（3）与低阻半导体层（2）的接触面积小于第一绝缘抗反射涂层（4）与第二低阻半导体层（3）的接触面积；所述第二低阻半导体层（3）的深度小于低阻半导体层（2）的深度；所述装置通过两次扩散形成，第一次对第一高阻半导体层（1）进行 同型扩散用来形成PN结的一个区，第二次扩散区域完全覆盖第一次扩散的区域，但结深比第一次扩散浅。