用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法

摘要

用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法，其包括：以单位为[mm/min]的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；及以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域并设置在熔体上方。

主权项

用于拉伸具有直径保持不变的区段的硅单晶的方法，其包括：提供第一加热源，所述第一加热源将热量导入单晶以及熔体与单晶临界的区域，并且所述第一加热源设置在熔体上方；提供第二加热源，所述第二加热源围绕坩埚设置；以单位为mm/min的预定的预期拉伸速率vp拉伸单晶；其中对于无扰动的情况选择vp的预定曲线、所述第一加热源的加热功率的预定曲线及所述第二加热源的加热功率的预定曲线，从而使得在生长的单晶与熔体之间的相界面处的结晶速率v与轴向温度梯度G的比例v/G对应于一个临界值，在该临界值时不会过量形成空位和硅间隙原子；及以不长于(2×18mm)/vp的周期T校正直径波动的方式，通过调节所述第一加热源的加热功率而调节直径保持不变的区段内的单晶直径至预定的预期直径，其中将所述第二加热源的加热功率用作用于后期调节以修正所述第一加热源的加热功率相对于预定曲线的偏差的操纵变量，条件是在长的时间段内持续存在所述偏差。