发明名称 半导体装置
摘要 根据本发明,提供导电性良好的半导体装置。本发明的半导体装置(10)具备:基材(2);半导体元件(3);和介于基材(2)与半导体元件(3)之间,将两者粘接的粘接层(1)。该半导体装置(10),在粘接层(1)中分散有金属颗粒和绝缘颗粒,金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状。在将粘接层(1)中的金属颗粒的体积含有率设为a,并将粘接层(1)中的绝缘颗粒的体积含有率设为b时,粘接层(1)中的填料的体积含有率(a+b)为0.20以上0.50以下,填料中的金属颗粒的体积含有率a/(a+b)为0.03以上0.70以下。
申请公布号 CN103608907A 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201280026102.X 申请日期 2012.05.29
申请人 住友电木株式会社 发明人 金森直哉;原田隆博;青木千晶;村山龙一
分类号 H01L21/52(2006.01)I;C09J9/02(2006.01)I;C09J11/04(2006.01)I;C09J201/00(2006.01)I;H01B1/00(2006.01)I;H01B1/22(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/52(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:基材;半导体元件;和介于所述基材与所述半导体元件之间,将两者粘接的粘接层,在所述粘接层中分散有金属颗粒和绝缘颗粒,所述金属颗粒具有鳞片形状或椭球形状,在将所述粘接层中的所述金属颗粒的体积含有率设为a,并将所述粘接层中的所述绝缘颗粒的体积含有率设为b时,所述粘接层中的填料的体积含有率(a+b)为0.20以上0.50以下,所述填料中的所述金属颗粒的体积含有率a/(a+b)为0.03以上0.70以下。
地址 日本东京都