发明名称 |
一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高吸收结构的太赫兹室温探测器及制备方法,用于太赫兹波段的探测。所述探测器的顶层是亚波长结构的金属图形,作为一个电子谐振器,用于吸收特定频率的太赫兹波;第二层是复合薄膜微桥桥面和空腔作为介质层;底层是一个厚的金属层平面,它的主要作用是减少透射。其中,最上层的金属图形为方形架结构的交叉谐振器;这种结构由于强的共振有一个明显的吸收峰,并且,由于这种结构的旋转对称性,共振对于入射的太赫兹波的偏振是不敏感的。本发明的高吸收结构的太赫兹室温探测器具有高吸收效率和灵敏度特性,同时具有易集成、阵列化、室温工作、实时探测、尺寸小等优点。 |
申请公布号 |
CN103606585A |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201310599246.0 |
申请日期 |
2013.11.25 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
王军;丁杰;郭晓珮;吴志明;蒋亚东 |
分类号 |
H01L31/08(2006.01)I;H01L31/02(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/08(2006.01)I |
代理机构 |
成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 |
代理人 |
徐丰;杨保刚 |
主权项 |
一种高吸收结构的太赫兹室温探测器,其特征在于:包括依次设置的底层、中间层、顶层,所述底层为金属底平面,中间层是复合薄膜微桥和空腔,顶层为亚波长结构的金属图形。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |