| 发明名称 | 用于制造多个光电子半导体芯片的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种用于制造多个光电子半导体芯片的方法，所述方法包括至少下述方法步骤：提供至少一个半导体本体（1）；借助于至少一个结构化工艺（3）将至少一条沟道（2）引入到所述半导体本体（1）中，其中，沟道（2）在竖直的方向（V）上贯通所述有源区（12）；将至少一个清洁工艺（4）至少应用到所述半导体本体（1）在所述沟道（2）的区域中的空出的部位上，其中，清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及等离子清洁工艺（44）至少减小半导体本体（1）在至少沟道（2）的区域中的空出的部位上的结构化残留物的数量和/或空间延展范围；将至少一个钝化层（5）至少施加到半导体本体（1）在沟道（2）的区域中的空出的部位上。 | ||
| 申请公布号 | CN103608936A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201280029569.X | 申请日期 | 2012.06.01 |
| 申请人 | 欧司朗光电半导体有限公司 | 发明人 | 马丁·罗伊费尔;马库斯·毛特;托尼·阿尔布雷希特 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L33/44(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I;H01L33/22(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 丁永凡;田军锋 |
| 主权项 | 一种用于制造多个光电子半导体芯片（100）的方法，所述方法包括至少下述方法步骤：‑提供至少一个半导体本体（1），所述半导体本体具有表面（11）以及至少一个适合于产生辐射的有源区（12）；‑借助于至少一个结构化工艺（3）经由所述半导体本体（1）的所述表面（11）将至少一条沟道（2）引入到所述半导体本体（1）中，其中‑在所述沟道（2）的区域中去除所述半导体本体（1）的一部分，以及‑使所述沟道（2）在竖直的方向（V）上贯通所述有源区（12）；‑将至少一个清洁工艺（4）至少应用到所述半导体本体（1）在所述沟道（2）的区域中的空出的部位上，其中‑所述清洁工艺（4）包括至少一个等离子清洁工艺（33），以及‑所述等离子清洁工艺（44）至少减小所述半导体本体（1）至少在所述沟道（2）的区域中的空出的部位上的结构化残留物（333）的数量和/或该结构化残留物（333）的空间延展范围；‑将至少一个钝化层（5）至少施加到所述半导体本体（1）在所述沟道（2）的区域中的空出的部位上。 | ||
| 地址 | 德国雷根斯堡 | ||