层叠膜及电子器件

摘要

本发明提供一种层叠膜，其是具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少一层的薄膜层的层叠膜，所述薄膜层当中的至少一层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：（Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值）/（Q4的峰面积）＜1.0…（I）Q1：与一个中性氧原子及三个羟基键合的硅原子，Q2：与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3：与三个中性氧原子及一个羟基键合的硅原子，Q4：与4个中性氧原子键合的硅原子。

主权项

一种层叠膜，其具备基材和形成于所述基材的至少一个表面上的至少1层的薄膜层，所述薄膜层中的至少1层含有硅、氧及氢，基于所述薄膜层的在29Si固体NMR测定中求出的、与氧原子的键合状态不同的硅原子的存在比，Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值相对于Q4的峰面积的比满足下述条件式（I）：Q1、Q2、Q3的峰面积相加而得的值/Q4的峰面积＜1.0…（I）Q1表示与1个中性氧原子及3个羟基键合的硅原子，Q2表示与两个中性氧原子及两个羟基键合的硅原子，Q3表示与3个中性氧原子及1个羟基键合的硅原子，Q4表示与4个中性氧原子键合的硅原子。