发明名称 |
一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi<sub>2</sub>组成的异质结太阳电池 |
摘要 |
本发明公开了一种由非晶硅/晶体硅/β-FeSi2组成的异质结太阳电池,其特征在于:包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、p+型非晶硅层、p型晶体硅层、i型β-FeSi2层、n+型非晶硅层和背金属电极,形成P+PIN+异质结结构。本发明的太阳电池,非晶硅层具有宽的禁带宽度,同时对电池表面形成良好的表面钝化,使得电池开路电压增大,温度系数降低,高温性能明显改善;窄带隙的β-FeSi2与晶体硅同时作为光吸收层,有效拓展了晶硅电池的光谱响应范围,特别是长波段光响应,提高了电池的短路电流;由于β-FeSi2的光吸收系数高,所需厚度小,并能进一步减小晶硅层厚度,降低材料成本。 |
申请公布号 |
CN103606584A |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201110341021.6 |
申请日期 |
2011.11.02 |
申请人 |
常州合特光电有限公司 |
发明人 |
张群芳 |
分类号 |
H01L31/075(2012.01)I;H01L31/0264(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/075(2012.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种由非晶硅/晶体硅/β‑FeSi2组成的异质结太阳电池,其特征在于:包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、p+型非晶硅层、p型晶体硅层、i型β‑FeSi2层、n+型非晶硅层和背金属电极,形成P+PIN+异质结结构。 |
地址 |
213031 江苏省常州市新北区常澄路888号 |