改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法

摘要

本发明公开了一种改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，在阻挡层刻蚀后，沉积一层氮化膜并进行一步刻蚀在阻挡层侧壁形成保护层，在深沟槽形成后，再将该保护层去除，从而达到改善深沟槽刻蚀边界形貌效果。由于保护膜侧向厚度带来的深槽线宽变化，可以在曝光步骤将深槽窗口适当做大，来进行补偿。通过此方法可以有效地改善深沟槽刻蚀边界形貌，避免锯齿状侧面给后续硅化学机械研磨工艺带来的影响，工艺简单，易于实现。

主权项

一种改善超级结器件深沟槽刻蚀边界形貌的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤一，硅片表面淀积ONO层； 步骤二，深沟槽刻蚀第一步，以所述ONO层最上方的氧化硅作为刻蚀阻挡层，该步刻蚀停在硅表面，并去除光阻，形成沟槽； 步骤三，表面沉积氮化硅，刻蚀氮化硅形成侧壁并将ONO层表面和硅表面的氮化硅去除干净，形成ONO层侧壁氮化硅保护层； 步骤四，深沟槽刻蚀第二步，在步骤二形成的沟槽内继续刻蚀硅，形成深沟槽； 步骤五，去除侧壁氮化硅保护层及ONO层最上方的氧化硅和中间氮化硅； 步骤六，以单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽； 步骤七，采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，以所述ONO层最下方的氧化硅作为研磨阻挡层； 步骤八，去除所述ONO层最下方的氧化硅。