| 发明名称 | 发光器件、发光器件封装以及照明系统 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光器件、发光器件封装以及照明系统。发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，发光结构向上暴露第一导电类型半导体层的一部分；在第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极；在光透射电极上的第二电极；以及在暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极。 | ||
| 申请公布号 | CN102237461B | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201110113737.0 | 申请日期 | 2011.04.28 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 黄盛珉 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L29/92(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：衬底；在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，所述发光结构向上暴露所述第一导电类型半导体层的一部分；在所述第二导电类型半导体层上的具有台阶部分的光透射电极；在所述光透射电极上的第二电极；以及在暴露的第一导电类型半导体层上的第一电极，其中所述光透射电极具有朝着台面蚀刻区域逐渐减少的厚度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||