| 发明名称 | 制造具有选择性发射器的光伏电池的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造具有选择性发射器的光伏电池的方法，包括下述步骤：在n-型或p-型硅衬底（1）上沉积包括n型掺杂剂的抗反射层（7），该沉积在能够加速n型掺杂剂原子在衬底（1）内的扩散的化合物的存在下进行；通过抗反射层（7）的至少一个区域的n掺杂剂的局部扩散来过掺杂衬底（1）的至少一个区域以形成至少一个n++过掺杂的发射器（6）；在至少一个n++过掺杂的发射器（6）上沉积至少一种n-型导电材料（3）；在衬底（1）的与包括抗反射层（7）的表面相反的表面上沉积至少一种p-型导电材料（4）；通过退火同时形成n触点（3）和p触点（4）及n+发射器（5），退火能够在衬底内扩散来自抗反射层（7）的n掺杂剂。 | ||
| 申请公布号 | CN103608934A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201280025262.2 | 申请日期 | 2012.04.26 |
| 申请人 | 原子能与替代能源委员会 | 发明人 | 伯特兰·帕维特-萨洛蒙;塞缪尔·加尔;塞尔文·曼纽尔 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L21/225(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人 | 周靖;郑霞 |
| 主权项 | 一种制造具有选择性发射器的光伏电池的方法，包括下述步骤：‑在n‑型或p‑型硅衬底（1）上沉积包括n型掺杂剂的抗反射层（7），所述沉积在能够加速n型掺杂剂原子在所述衬底（1）内的扩散的化合物的存在下进行；‑通过所述抗反射层（7）的至少一个区域的n掺杂剂的局部扩散来过掺杂所述衬底（1）的至少一个区域，以形成至少一个n++过掺杂的发射器（6）；‑进行以下沉积操作：○在所述至少一个n++过掺杂的发射器（6）上沉积至少一种n‑型导电材料（3）；及○在所述衬底（1）的与包括所述抗反射层（7）的表面相反的表面上沉积至少一种p‑型导电材料（4）；‑通过退火同时形成n触点（3）和p触点（4）及n+发射器（5），所述退火能够在所述衬底内扩散来自所述抗反射层（7）的n掺杂剂。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||