一种去除铜导线之间铜残留的方法

摘要

本发明公开了一种去除铜导线之间铜残留的方法，采用蚀刻工艺在介质层上形成通孔，并在通孔中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层，采用电化学镀ECP生长铜互连层，采用第一化学机械研磨(CMP)将铜互连层抛光至介质层表面，形成铜导线，该方法包括：在有铜残留的介质层表面热沉积硅化物；采用第二CMP去除硅化物和铜残留。采用该方法增强了铜导线的耐腐蚀性，减缓了第二CMP过程中铜导线与研磨液的反应程度，使第二CMP可控时间范围扩大，从而在完全去除铜残留的基础上，保证铜导线不至于断裂，影响铜互连的性能。

主权项

一种去除铜导线之间铜残留的方法，采用蚀刻工艺在介质层上形成通孔，并在通孔中沉积扩散阻挡层和铜籽晶层，采用电化学镀生长铜互连层,采用第一化学机械研磨将铜互连层抛光至介质层表面，形成铜导线，该方法包括：对有铜残留的介质层表面化学气相沉积硅化物，所述硅化物为二氧化硅或氮化硅；采用第二化学机械研磨去除硅化物和铜残留。