| 发明名称 | 湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种湿法刻蚀方法及湿法刻蚀装置。该湿法刻蚀方法包括对具有扩散表面的硅片的待刻蚀面进行刻蚀的步骤，并在对硅片的待刻蚀面进行刻蚀的步骤之前，还包括至少在硅片的扩散表面的边缘部位形成防刻蚀保护层的步骤。这种保护层能够避免扩散表面边缘被刻蚀药液损害的问题，进而能够保证硅片的有效受光面积，保证晶体硅电池的光电转换效率。 | ||
| 申请公布号 | CN103606518A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201310574467.2 | 申请日期 | 2013.11.15 |
| 申请人 | 英利集团有限公司 | 发明人 | 郝晓波 |
| 分类号 | H01L21/306(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/306(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴贵明;张永明 |
| 主权项 | 一种湿法刻蚀方法，包括对具有扩散表面的硅片的待刻蚀面进行刻蚀的步骤，其特征在于，对所述硅片的待刻蚀面进行刻蚀的步骤之前，还包括至少在所述硅片的扩散表面的边缘部位形成防刻蚀保护层的步骤。 | ||
| 地址 | 071051 河北省保定市朝阳北大街3399号 | ||