发明名称 |
一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及集成芯片 |
摘要 |
本发明涉及一种带激光修调工艺的集成电路版图结构及集成芯片。所述版图结构包括衬底以及依次设置在衬底上的阱区、硅化物阻止区、第一金属层、第二金属层,另衬底上在阱区和硅化物阻止区的外围设置掺杂区;第一金属层覆盖阱区、硅化物阻止区和掺杂区。其中,第二金属层及第一金属层电性连接,第一金属层上设置熔丝图形,第二金属层上设置熔丝与熔丝及熔丝与集成电路内其它电路的连接线路。所述集成芯片即按照本发明所述版图结构制作而成。本发明所述版图结构设计合理,可提高芯片制作的质量与效率,保证芯片的可靠性。 |
申请公布号 |
CN103606547A |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201310618430.5 |
申请日期 |
2013.11.29 |
申请人 |
深圳市德赛微电子技术有限公司 |
发明人 |
陈唯一;熊力嘉 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L23/525(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
常跃英 |
主权项 |
一种带激光修调工艺的集成电路版图结构,包括衬底(1)以及设置在衬底(1)上的第一金属层,其特征在于:所述第一金属层(4)上设置可激光修调的熔丝图形, 第一金属层与衬底(1)之间增设阱区(2),所述阱区(2)嵌入衬底(1)内,该阱区(2)做浮空处理,不接任何电位。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区深南大道9789号德赛科技大厦23层2303室 |