| 发明名称 | 功率MOS管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种功率MOS管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的沟槽；形成于所述外延层中的体注入区；形成于所述体注入区中的源极注入区和接触孔，形成于所述体注入区和源极注入区之间的抗击穿离子注入区；形成于所述接触孔内的硅化物层和金属层；其中，所述接触孔穿透所述体注入区，并伸至外延层中。在本发明提供的功率MOS管及其制造方法中，接触孔穿透体注入区并伸至外延层中，从而形成了一个与本征二极管并联的肖特基二极管，改善了功率MOS管的关态特性。 | ||
| 申请公布号 | CN103606561A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201310386346.5 | 申请日期 | 2013.08.29 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 楼颖颖;贾璐 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种功率MOS管，其特征在于，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的沟槽；形成于所述外延层中的体注入区；形成于所述体注入区中的源极注入区和接触孔，形成于所述体注入区和源极注入区之间的抗击穿离子注入区；形成于所述接触孔内的硅化物层和金属层；其中，所述接触孔穿透所述体注入区，并伸入外延层中。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||