半导体装置

摘要

本发明涉及半导体装置，具备：功率半导体列（6）和二极管列（7），功率半导体列（6）包含：位于功率半导体列（6）的一方的端部的功率半导体（11A）和位于另一方的端部的功率半导体（11C）、和位于功率半导体（11A）和功率半导体（11C）之间的功率半导体（11B），二极管列（7）包含：位于二极管列（7）的一方的端部的二极管（12A）、位于另一方的端部的二极管（12C）、和位于二极管（12A）与二极管（12C）之间的二极管（12B），关于ON状态下的发射极电极与集电极电极间的电阻值，功率半导体（11B）比功率半导体（11A）和功率半导体（11C）大，施加开启电压以上的电压时的二极管（12B）的电阻值，比施加开启电压以上的电压时的二极管（12A）和二极管（12C）的电阻值高。

主权项

一种半导体装置，具备：功率半导体列，将包含发射极电极和集电极电极的功率半导体在一个方向隔开间隔排列多个而形成；以及二极管列，相对于所述功率半导体列，在与所述一个方向交叉的方向隔开间隔设置，由在所述一个方向隔开间隔排列的多个二极管形成，其中，所述功率半导体列包含：第1功率半导体，位于所述功率半导体列的一端；第2功率半导体，位于另一端；以及第3半导体，位于所述第1功率半导体和所述第2功率半导体之间，所述二极管列包含：第1二极管，位于所述二极管列的一端；第2二极管，位于另一端；以及第3二极管，位于所述第1二极管和所述第2二极管之间，关于ON状态下的所述发射极电极和所述集电极电极间的电阻值，所述第3功率半导体比所述第1功率半导体和所述第2功率半导体大，施加了开启电压以上的电压时的所述第3二极管的电阻值，比施加了开启电压以上的电压时的所述第1二极管和所述第2二极管的电阻值高。