提高静态随机存储器之写入冗余度的方法

摘要

一种提高静态随机存储器之写入冗余度的方法，包括：步骤S1：在多晶硅栅刻蚀工艺前，对控制晶体管之NMOS器件的栅极和下拉晶体管之NMOS器件的栅极进行五族元素预注入；步骤S2：对上拉晶体管之PMOS器件的栅极进行五族元素预注入。本发明通过对NMOS器件的栅极进行五族元素预注入，以调节CMOS器件阈值电压和所述开启电流；对上拉晶体管之PMOS器件的栅极进行五族元素预注入，使得上拉晶体管之多晶硅栅的相对掺杂浓度降低，从而增大多晶硅栅的寄生电阻以及多晶硅栅耗尽现象，导致上拉晶体管的开启电流减小，进而在静态随机存储器写入过程中，增大上拉晶体管的等效电阻，降低第二节点的电位，提高静态随机存储器的写入冗余度。

主权项

一种提高静态随机存储器之写入冗余度的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：在多晶硅栅刻蚀工艺前，对所述控制晶体管之NMOS器件的栅极和所述下拉晶体管之NMOS器件的栅极进行五族元素预注入；执行步骤S2：对所述上拉晶体管之PMOS器件的栅极进行五族元素预注入。