| 发明名称 | 一种太阳能电池的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN103606590A | 申请公布日期 | 2014.02.26 |
| 申请号 | CN201310495934.2 | 申请日期 | 2013.10.21 |
| 申请人 | 溧阳市东大技术转移中心有限公司 | 发明人 | 丛国芳 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人 | 黄明哲 |
| 主权项 | 一种太阳能电池的制造方法依次包括如下步骤：（1）提供衬底，在衬底上形成第一过渡金属层；（2）对第一过渡金属层的上表面进行粗化；（3）在第一过渡金属层的上表面上溅镀金属材料层，然后对该金属材料层的上表面进行粗化，从而形成粗化金属层；（4）在粗化金属层的上表面形成p型半导体层，然后对p型半导体层的上表面进行粗化处理；（5）在p型半导体层的上表面上形成n型半导体层，然后对n型半导体层的上表面进行粗化处理；（6）在n型半导体层的上表面上依次形成第二过渡金属层、ZnO层以及透明导电层。 | ||
| 地址 | 213300 江苏省常州市溧阳市溧城镇东门大街67号 | ||