发明名称 |
形成感测电路的方法及其结构 |
摘要 |
本发明涉及形成感测电路的方法及其结构。在一个实施方式中,感测电路包括感测晶体管和补偿电路,以提高由感测电路形成的感测信号的准确性。 |
申请公布号 |
CN101847599B |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201010002045.4 |
申请日期 |
2010.01.07 |
申请人 |
半导体元件工业有限责任公司 |
发明人 |
H·L·马西;老J·L·卡特 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
秦晨 |
主权项 |
一种形成电流感测电路的方法,所述方法包括如下步骤:提供半导体基底;在所述半导体基底上形成主晶体管,所述主晶体管具有形成有源极区的源极;在所述半导体基底上形成感测晶体管,所述感测晶体管具有形成有源极区的源极,所述感测晶体管的栅极耦合到所述主晶体管的栅极,且所述感测晶体管的漏极耦合到所述主晶体管的漏极,其中所述感测晶体管的所述源极区小于所述主晶体管的所述源极区;在所述半导体基底上形成电阻分压器,所述电阻分压器具有第一电阻器和第二电阻器,所述第一电阻器的第一端子耦合到所述电阻分压器的输入,所述第一电阻器的第二端子耦合到感测节点,所述第二电阻器的第一端子耦合到所述感测节点,且所述电阻分压器的所述输入耦合到所述主晶体管的所述源极;将所述电阻分压器的所述输入和所述主晶体管的所述源极耦合到所述半导体基底上的第一连接焊盘;将所述感测晶体管的所述源极耦合到所述半导体基底上的第二连接焊盘;将所述感测节点耦合到所述半导体基底上的第三连接焊盘;将所述第二电阻器的第二端子耦合到所述半导体基底上的第四连接焊盘;以及将所述第一连接焊盘耦合到半导体封装的第一端子,将所述第二连接焊盘耦合到所述半导体封装的第二端子,将所述第三连接焊盘耦合到所述半导体封装的第三端子,并将所述第四连接焊盘耦合到所述半导体封装的第四端子。 |
地址 |
美国亚利桑那 |