发明名称 具有均匀多重掺杂物的硅锭及其制造方法和装置
摘要 本发明揭露一种柴氏生长系统,包括坩埚;硅传送系统,包括具有传送点位于该坩埚上的进料机并且传送可控制的硅量至该坩埚;及至少一种掺杂机制,可控制地传送至少一种掺杂物材料至该进料机。该系统可以包括二或更多种各装载不同掺杂物材料的掺杂机制,且因此可用于制备具有多重掺杂物的硅锭。所得的锭具有沿其轴实质上固定的掺杂浓度。此外也揭露至少一种包括至少一种掺杂物材料的硅锭的柴氏生长方法,该方法较佳为连续柴氏生长法。
申请公布号 CN103608496A 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201280028191.1 申请日期 2012.04.13
申请人 吉特发展有限责任公司 发明人 B·K·约翰逊;J·P·德卢卡;W·L·卢特尔
分类号 C30B15/04(2006.01)I;C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 主分类号 C30B15/04(2006.01)I
代理机构 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人 程伟;王锦阳
主权项 一种柴氏生长系统,包括坩埚;硅传送系统,其包括具有传送点位于该坩埚上的进料机并且传送可控制的硅量至该坩埚;以及至少一种掺杂机制,其可控制地传送至少一种掺杂物材料至该硅传送系统,藉以传送掺杂物材料至该坩埚。
地址 美国新罕布什尔州