一种用于生长碳化硅晶体的坩埚

摘要

本发明涉及一种用于生长碳化硅晶体的坩埚，包括坩埚盖、坩埚体及隔离板，所述坩埚盖扣合在所述坩埚体上，且与所述坩埚体形成一封闭的内腔，所述隔离板位于所述内腔中，且一端与所述坩埚体的侧壁相连接，另一端与所述坩埚盖相连接。本发明有效的增强了温场的稳定性，即当热场发生波动现象时，隔离板与坩埚体的侧壁之间形成类似真空的缓冲层，吸收了由此产生的能量波动，有效的减少了其对正在生长的晶体所处的温场的影响，增强了温场的稳定性，从而提高晶体结晶质量。

主权项

一种用于生长碳化硅晶体的坩埚，其特征在于：包括坩埚盖、坩埚体及隔离板，所述坩埚盖扣合在所述坩埚体上，且与所述坩埚体形成一封闭的内腔，所述隔离板位于所述内腔中，且一端与所述坩埚体的侧壁相连接，另一端与所述坩埚盖相连接。