发明名称 一种自散热式半导体封装结构
摘要 本实用新型涉及的一种自散热式半导体封装结构,包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层,氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件,散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面,环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面,散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。本实用新型产生的有益效果是:采用散热陶瓷颗粒位于氟硅橡胶层和环氧树脂层之间,可以起到主动散热的作用。
申请公布号 CN203456440U 申请公布日期 2014.02.26
申请号 CN201320512758.4 申请日期 2013.08.22
申请人 江西创成半导体有限公司 发明人 刘茂生;游平
分类号 H01L23/373(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I 主分类号 H01L23/373(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种自散热式半导体封装结构,其特征在于:所述自散热式半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层,所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件,所述散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面,所述环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面,所述散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。
地址 343000 江西省吉安市井冈山出口加工区(江西吉安)