发明名称 |
一种自散热式半导体封装结构 |
摘要 |
本实用新型涉及的一种自散热式半导体封装结构,包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层,氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件,散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面,环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面,散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。本实用新型产生的有益效果是:采用散热陶瓷颗粒位于氟硅橡胶层和环氧树脂层之间,可以起到主动散热的作用。 |
申请公布号 |
CN203456440U |
申请公布日期 |
2014.02.26 |
申请号 |
CN201320512758.4 |
申请日期 |
2013.08.22 |
申请人 |
江西创成半导体有限公司 |
发明人 |
刘茂生;游平 |
分类号 |
H01L23/373(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/373(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种自散热式半导体封装结构,其特征在于:所述自散热式半导体封装结构包括被封装半导体器件、氟硅橡胶层、散热陶瓷颗粒和环氧树脂层,所述氟硅橡胶层覆盖被封装半导体器件,所述散热陶瓷颗粒分散于氟硅橡胶层表面,所述环氧树脂层覆盖散热陶瓷颗粒之间的氟硅橡胶层表面,所述散热陶瓷颗粒的颗粒尺寸范围为5毫米到20毫米。 |
地址 |
343000 江西省吉安市井冈山出口加工区(江西吉安) |