用于减小堆叠式静电放电保护电路的触发电压的集成电路和方法

摘要

本发明提供一种堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管(GCNFET)静电放电(ESD)保护电路，其涉及含若干个级的堆叠。每一级具有一NFET，所述NFET的主体耦合到其源极。电阻器耦合在栅极与源极之间。提供从电源电压节点到每一NFET的所述栅极的电流路径，使得在ESD事件期间，电流将流过所述级的所述电阻器并引起触发。在一个实施例中，通过另一级与所述电源电压节点隔离的NFET级具有相关联的电容结构。在所述ESD事件的瞬态电压条件期间，电流从所述电源电压节点流经所述电容结构并到达所述栅极，且接着流经所述电阻器，从而起始触发。所述GCNFET ESD保护电路具有比其保持电压高不到百分之二十的触发电压。

主权项

一种用于减小堆叠式静电放电保护电路的触发电压的方法，其包含：提供堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管静电放电保护电路，其中所述堆叠式栅极耦合N沟道场效晶体管静电放电保护电路具有触发电压和保持电压，其中所述触发电压比所述保持电压高不到百分之二十，其中所述保持电压大于十五伏；其中至少部分地通过以下步骤来实现比所述保持电压高不到百分之二十的所述触发电压：提供穿过第一电阻器的第一电流路径，使得在静电放电事件期间，第一电流流经所述第一电流路径并增加第一N沟道场效晶体管的栅极到源极电压；以及提供穿过第二电阻器的第二电流路径，使得在所述静电放电事件期间，第二电流流经所述第二电流路径并增加第二沟道场效晶体管的栅极到源极电压，其中所述第二沟道场效晶体管的漏极耦合到所述第一N沟道场效晶体管的源极。