发明名称 Semiconductor power device integrated with ESD protection diodes
摘要 A semiconductor power device integrated with ESD protection diode is disclosed by offering a dopant out-diffusion suppression layers prior to source dopant activation or diffusion to enhance ESD protection capability between gate and source.
申请公布号 US8658492(B2) 申请公布日期 2014.02.25
申请号 US201213542753 申请日期 2012.07.06
申请人 HSIEH FU-YUAN;FORCE MOS TECHNOLOGY CO., LTD. 发明人 HSIEH FU-YUAN
分类号 H01L27/06 主分类号 H01L27/06
代理机构 代理人
主权项
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