氮化物单晶之制造方法及用于其之高压釜

摘要

本发明提供一种可使较快之结晶成长速度与较高之结晶品质并存的氮化物单晶之新颖制造方法、以及可用于该方法之新颖高压釜。本发明提供一种氮化物单晶之制造方法及可用于该方法之高压釜，该氮化物单晶之制造方法系利用氨热法制造含Ga之氮化物单晶之方法，其包括如下步骤：向高压釜内至少导入原料、酸性矿化剂及氨后，于单晶成长部位之温度(T1)为600℃~850℃、该单晶成长部位之温度(T1)与原料供给部位之温度(T2)之间存在T1>T2之关系、且该高压釜内之压力为40 MPa~250 MPa之条件下，使含Ga之氮化物单晶成长。