发明名称 III族氮化物半导体层、III族氮化物半导体元件及其制造方法
摘要 一种III族氮化物半导体元件的制造方法包含以下步骤:形成一III族氮化物半导体层于一基板上,其中III族氮化物半导体层具有一表面与基板连接,以及由与基板连接的表面蚀刻III族氮化物半导体层。
申请公布号 TWI427699 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW098112395 申请日期 2009.04.14
申请人 中央研究院 台北市南港区研究院路2段128号 发明人 程育人;罗明华;郭浩中
分类号 H01L21/318 主分类号 H01L21/318
代理机构 代理人 刘正格 台北市中山区中山北路1段53巷20号之1
主权项
地址 台北市南港区研究院路2段128号