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发明名称
III族氮化物半导体层、III族氮化物半导体元件及其制造方法
摘要
一种III族氮化物半导体元件的制造方法包含以下步骤:形成一III族氮化物半导体层于一基板上,其中III族氮化物半导体层具有一表面与基板连接,以及由与基板连接的表面蚀刻III族氮化物半导体层。
申请公布号
TWI427699
申请公布日期
2014.02.21
申请号
TW098112395
申请日期
2009.04.14
申请人
中央研究院 台北市南港区研究院路2段128号
发明人
程育人;罗明华;郭浩中
分类号
H01L21/318
主分类号
H01L21/318
代理机构
代理人
刘正格 台北市中山区中山北路1段53巷20号之1
主权项
地址
台北市南港区研究院路2段128号
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