用于半导体制程之沈积前驱物

摘要

本发明有关有机金属化合物，其包含至少一种金属或准金属及至少一种经取代之阴离子性6电子供体配位体，此配位体具有足以达成以下功能之取代：(i)于藉由分解该化合物所制得之薄膜或涂层中赋与降低之碳浓度，(ii)于藉由分解该化合物所制得之薄膜或涂层中赋与降低之电阻系数，或(iii)于藉由分解该化合物所制得之薄膜或涂层中赋与增加之结晶性。该有机金属化合物可用于半导体应用中作为薄膜沈积之化学蒸汽或原子层沈积前驱物。