发明名称 半导体制造装置及半导体制造方法
摘要 本发明之课题为:实现在基板面内形成均一的膜厚。;为解决上述课题,本处理液供给装置包含:喷嘴,具有对大致水平固持之基板之处理面喷吐出电镀液的供给孔;温度调节部,收纳既定片数之基板处理所需量的电镀液,将所收纳之电镀液调节成既定温度;保温部,配置于喷嘴及温度调节部之间,将温度调节部所调温的电镀液维持在既定温度;与送出机构,将温度调节部所调节成既定温度的电镀液经由保温部往喷嘴之供给孔送出。
申请公布号 TWI427726 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW098108771 申请日期 2009.03.18
申请人 东京威力科创股份有限公司 日本 发明人 田中崇;斋藤佑介;岩下光秋
分类号 H01L21/67;H01L21/3205;B05B1/00 主分类号 H01L21/67
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项
地址 日本