发明名称 具有低串音之P型金属氧化半导体像素结构
摘要 一种影像感测器,其影像区域具有复数个像素,每一像素具有一第一导电率类型之一光侦测器与一基板,及形成于该基板与该等光侦测器间之一第二导电率类型的一第一层。该第一层涵跨该影像区域,并以相对于该基板之预定电位偏压之,以驱动过量之载子进入该基板来减少串音。一或多个相邻之主动式电子组件可被布置于每一像素内之该第一层中及可被布置于该影像区域外之基板内的电子电路。
申请公布号 TWI427763 申请公布日期 2014.02.21
申请号 TW096114906 申请日期 2007.04.27
申请人 豪威科技股份有限公司 美国 发明人 艾瑞克G 史蒂文斯;小森弘文
分类号 H01L27/04 主分类号 H01L27/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 美国